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TTC014,L1NV(O
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 800 V, 1 A, 40 W, New PW-Mold, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.840 |
| 10+ | $0.721 |
| 25+ | $0.650 |
| 50+ | $0.590 |
| 100+ | $0.494 |
| 250+ | $0.437 |
| 500+ | $0.380 |
| 1000+ | $0.365 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTTC014,L1NV(O
No. Parte Newark29AM9360
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor800
Corriente del Colector Continua1
Disipación de Potencia40
Diseño de TransistorNew PW-Mold
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Corriente del Colector Continua
1
Diseño de Transistor
New PW-Mold
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje Máx. Colector a Emisor
800
Disipación de Potencia
40
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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