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TPW5200FNH,L1Q(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 27 A, 44 mohm, DSOP, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPW5200FNH,L1Q(M
No. Parte Newark72AK4660
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.220 |
| 10+ | $2.840 |
| 25+ | $2.610 |
| 50+ | $2.360 |
| 100+ | $2.050 |
| 250+ | $1.630 |
| 500+ | $1.550 |
| 1000+ | $1.450 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPW5200FNH,L1Q(M
No. Parte Newark72AK4660
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id27
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente44
Diseño de TransistorDSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia142
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
27
Diseño de Transistor
DSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
142
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
44
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSVIII-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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