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TPW1R005PL,L1Q(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 45 V, 150 A, 0.75 mohm, DSOP, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPW1R005PL,L1Q(M
No. Parte Newark09AK9036
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982 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.400 |
| 10+ | $3.000 |
| 25+ | $2.750 |
| 50+ | $2.480 |
| 100+ | $2.160 |
| 250+ | $1.710 |
| 500+ | $1.630 |
| 1000+ | $1.520 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPW1R005PL,L1Q(M
No. Parte Newark09AK9036
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds45
Intensidad Drenador Continua Id150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.75
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4
Disipación de Potencia170
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
45
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.75
Diseño de Transistor
DSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
170
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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