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TPN5900CNH,L1Q(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPN5900CNH,L1Q(M
No. Parte Newark09AK9002
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.060 |
| 10+ | $0.865 |
| 25+ | $0.764 |
| 50+ | $0.681 |
| 100+ | $0.583 |
| 250+ | $0.512 |
| 500+ | $0.405 |
| 1000+ | $0.389 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPN5900CNH,L1Q(M
No. Parte Newark09AK9002
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id9
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia39
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
39
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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