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TPN11006PL,LQ(S
MOSFET, N-CH, 60V, 54A, TSON
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPN11006PL,LQ(S
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)72AK4633
Cinta adhesiva72AK4633
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
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Hoja de datos técnicos
4,907 En Inventario
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.965 |
| 10+ | $0.807 |
| 25+ | $0.725 |
| 50+ | $0.657 |
| 100+ | $0.578 |
| 250+ | $0.520 |
| 500+ | $0.433 |
| 1000+ | $0.421 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPN11006PL,LQ(S
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)72AK4633
Cinta adhesiva72AK4633
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id54
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8800µohm
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia61
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
54
Diseño de Transistor
TSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
61
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSIX-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto