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TPM1R908QM,LQ(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 238 A, 1900 µohm, SOP Advance, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPM1R908QM,LQ(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark44AM4546
Rango de ProductoU-MOS X-H Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.640 |
| 10+ | $2.240 |
| 100+ | $1.800 |
| 500+ | $1.660 |
| 1000+ | $1.490 |
| 2500+ | $1.210 |
| 5000+ | $1.170 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPM1R908QM,LQ(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark44AM4546
Rango de ProductoU-MOS X-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id238
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1900
Diseño de TransistorSOP Advance
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia250
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoU-MOS X-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
238
Diseño de Transistor
SOP Advance
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1900
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOS X-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto