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TPHR9003NL1,LQ(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 150 A, 0.77 mohm, SOP, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPHR9003NL1,LQ(M
No. Parte Newark09AK8978
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.630 |
| 10+ | $2.310 |
| 25+ | $2.090 |
| 50+ | $1.860 |
| 100+ | $1.630 |
| 250+ | $1.390 |
| 500+ | $1.270 |
| 1000+ | $1.210 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPHR9003NL1,LQ(M
No. Parte Newark09AK8978
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.77
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia170
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.77
Diseño de Transistor
SOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto