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TPHR8504PL1,LQ(M
MOSFET POT, CANAL N, 40V, 150A
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPHR8504PL1,LQ(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6543
Re-reeling (Rollos a medida)09AK8977RL
Cinta adhesiva09AK8977
Su número de pieza
2,056 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.400 | $2.40 |
| Total Precio | $2.40 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.400 |
| 50+ | $2.110 |
| 100+ | $1.900 |
| 250+ | $1.700 |
| 500+ | $1.480 |
| 1000+ | $1.270 |
| 2500+ | $1.160 |
| 5000+ | $1.100 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $1.110 |
| 10000+ | $1.060 |
| 20000+ | $0.953 |
| 30000+ | $0.914 |
| 50000+ | $0.882 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPHR8504PL1,LQ(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6543
Re-reeling (Rollos a medida)09AK8977RL
Cinta adhesiva09AK8977
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id150A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente850µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia210W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
850µohm
Diseño de Transistor
SOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
150A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
Disipación de Potencia
210W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto