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TPHR8504PL1,LQ(M
MOSFET, N-CH, 40V, 150A, SOP
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.900 |
| 10+ | $1.670 |
| 25+ | $1.510 |
| 50+ | $1.350 |
| 100+ | $1.180 |
| 250+ | $1.010 |
| 500+ | $0.919 |
| 1000+ | $0.870 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPHR8504PL1,LQ(M
No. Parte Newark09AK8977
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente850µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia210
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
850µohm
Diseño de Transistor
SOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4
Disipación de Potencia
210
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza TPHR8504PL1,LQ(M
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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