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TPHR6503PL1,LQ(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPHR6503PL1,LQ(M
No. Parte Newark09AK8976
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8209 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.850 |
| 10+ | $1.620 |
| 25+ | $1.470 |
| 50+ | $1.310 |
| 100+ | $1.140 |
| 250+ | $0.979 |
| 500+ | $0.891 |
| 1000+ | $0.844 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPHR6503PL1,LQ(M
No. Parte Newark09AK8976
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id420
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00041
Diseño de TransistorSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia210
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
210
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
420
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00041
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto