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TPH3R70APL1,LQ(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Montaje Superficial
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|---|---|---|
| 1+ | $2.560 | $0.749 |
| 10+ | $2.260 | $0.749 |
| 25+ | $2.040 | $0.749 |
| 50+ | $1.820 | $0.749 |
| 100+ | $1.590 | $0.749 |
| 250+ | $1.360 | $0.749 |
| 500+ | $1.240 | $0.749 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH3R70APL1,LQ(M
No. Parte Newark09AK8988
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id90
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3100µohm
Diseño de TransistorSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia210
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
210
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto