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TPH3R506PL,LQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH3R506PL,LQ(SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark72AK4614
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Su número de pieza
2,788 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.920 |
| 10+ | $1.670 |
| 25+ | $1.530 |
| 50+ | $1.410 |
| 100+ | $1.210 |
| 250+ | $1.100 |
| 500+ | $0.983 |
| 1000+ | $0.952 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.92
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH3R506PL,LQ(SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark72AK4614
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id135
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2600µohm
Diseño de TransistorSOP Advance
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia116
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
135
Diseño de Transistor
SOP Advance
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
116
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSIX-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto