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TK8A60W,S4VX(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Agujero Pasante
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK8A60W,S4VX(M
No. Parte Newark72AK4582
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.860 |
| 10+ | $1.590 |
| 100+ | $1.280 |
| 500+ | $1.170 |
| 1000+ | $1.050 |
| 2500+ | $0.857 |
| 5000+ | $0.829 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK8A60W,S4VX(M
No. Parte Newark72AK4582
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.42
Diseño de TransistorTO-220SIS
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia30
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8
Diseño de Transistor
TO-220SIS
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.42
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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