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TK7A65D(STA4,Q,M)
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK7A65D(STA4,Q,M)
No. Parte Newark72AK4565
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.8
Diseño de TransistorSC-67
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia45
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7
Diseño de Transistor
SC-67
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
45
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.8
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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