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TK70J20D,S1Q(O
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 70 A, 0.02 ohm, TO-3PN, Agujero Pasante
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK70J20D,S1Q(OCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark79AK2888
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.280 |
| 10+ | $5.660 |
| 25+ | $5.150 |
| 50+ | $4.800 |
| 100+ | $4.470 |
| 250+ | $3.760 |
| 500+ | $3.640 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK70J20D,S1Q(OCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark79AK2888
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id70
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTO-3PN
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia410
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70
Diseño de Transistor
TO-3PN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
410
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto