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TK560P60Y,RQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK560P60Y,RQ(S
No. Parte Newark09AK8693
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.990 |
| 10+ | $1.750 |
| 25+ | $1.600 |
| 50+ | $1.470 |
| 100+ | $1.280 |
| 250+ | $1.160 |
| 500+ | $1.040 |
| 1000+ | $1.010 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK560P60Y,RQ(S
No. Parte Newark09AK8693
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.43
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.43
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
7
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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