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TK40A10N1,S4X(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.060 |
| 10+ | $1.800 |
| 25+ | $1.650 |
| 50+ | $1.520 |
| 100+ | $1.310 |
| 250+ | $1.190 |
| 500+ | $1.060 |
| 1000+ | $1.030 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK40A10N1,S4X(S
No. Parte Newark29AM9337
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id90
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8200
Diseño de TransistorTO-220SIS
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia35
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
90
Diseño de Transistor
TO-220SIS
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
35
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8200
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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