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TK3P80E,RQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.390 |
| 10+ | $1.220 |
| 25+ | $1.120 |
| 50+ | $1.030 |
| 100+ | $0.890 |
| 250+ | $0.807 |
| 500+ | $0.724 |
| 1000+ | $0.702 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK3P80E,RQ(S
No. Parte Newark72AK4496
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.9
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia80
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
80
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.9
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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