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TK39A60W,S4VX(M
MOSFET, CANAL N, 600V, 38.8A, TO-220SIS
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK39A60W,S4VX(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark33AK9372
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.430 |
| 10+ | $5.800 |
| 25+ | $5.270 |
| 50+ | $4.910 |
| 100+ | $4.580 |
| 250+ | $3.850 |
| 500+ | $3.720 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK39A60W,S4VX(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark33AK9372
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id38.8
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055
Diseño de TransistorTO-220SIS
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia50
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220SIS
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
38.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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