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TK35A65W5,S5X(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Agujero Pasante
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK35A65W5,S5X(MCopiar
No. Parte Newark72AK4514
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.320 |
| 10+ | $6.590 |
| 25+ | $5.990 |
| 50+ | $5.580 |
| 100+ | $5.210 |
| 250+ | $4.380 |
| 500+ | $4.230 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK35A65W5,S5X(MCopiar
No. Parte Newark72AK4514
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Diseño de TransistorTO-220SIS
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia50
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35
Diseño de Transistor
TO-220SIS
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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