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TK2R9E10PL,S1X(S
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK2R9E10PL,S1X(S
No. Parte Newark08AK7499
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.460 |
| 10+ | $3.020 |
| 100+ | $2.530 |
| 500+ | $2.380 |
| 1000+ | $2.190 |
| 2500+ | $1.880 |
| 5000+ | $1.840 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.46
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK2R9E10PL,S1X(S
No. Parte Newark08AK7499
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2400µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia306
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2400µohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
306
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto