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TK110U65Z,RQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 24 A, 0.086 ohm, TO-LL, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK110U65Z,RQ(S
No. Parte Newark33AK9344
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.610 |
| 10+ | $5.950 |
| 25+ | $5.530 |
| 50+ | $5.100 |
| 100+ | $4.560 |
| 250+ | $3.820 |
| 500+ | $3.670 |
| 1000+ | $3.510 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK110U65Z,RQ(S
No. Parte Newark33AK9344
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.086
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-LL
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia190
No. de Pines9Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.086
Diseño de Transistor
TO-LL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
9Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
190
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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