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TK110E65Z,S1X(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK110E65Z,S1X(S
No. Parte Newark47AK7048
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.820 |
| 10+ | $5.170 |
| 25+ | $4.650 |
| 50+ | $4.420 |
| 100+ | $3.970 |
| 250+ | $3.490 |
| 500+ | $3.410 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK110E65Z,S1X(S
No. Parte Newark47AK7048
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id24
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.092
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia190
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.092
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
190
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto