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TK100L60W,VQ(O
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $23.660 |
| 5+ | $22.440 |
| 10+ | $21.210 |
| 25+ | $19.960 |
| 50+ | $18.620 |
| 100+ | $18.220 |
| 300+ | $17.630 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK100L60W,VQ(O
No. Parte Newark08AK7498
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015
Diseño de TransistorTO-3P
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia797
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-3P
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
Disipación de Potencia
797
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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