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TK040N65Z,S1F(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 57 A, 33 mohm, TO-247, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $12.650 |
| 10+ | $11.640 |
| 25+ | $10.810 |
| 60+ | $10.240 |
| 120+ | $9.710 |
| 270+ | $8.550 |
| 510+ | $8.350 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK040N65Z,S1F(S
No. Parte Newark08AK7496
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id57
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia360
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
360
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
57
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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