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T2N7002AK,LM(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 200 mA, 3.9 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.141 |
| 10+ | $0.109 |
| 25+ | $0.067 |
| 50+ | $0.055 |
| 100+ | $0.045 |
| 250+ | $0.037 |
| 500+ | $0.029 |
| 1000+ | $0.027 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteT2N7002AK,LM(T
No. Parte Newark03AM3169
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.9
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.9
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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