Imprimir página
SSM6N7002BFE,LM(T
MOSFET Dual, Doble Canal N, 60 V, 200 mA, 2.1 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N7002BFE,LM(TCopiar
No. Parte Newark03AM3067
Rango de ProductoU-MOSIV Series
Su número de pieza
2,525 En Inventario
¿Necesita más?
574 Entrega en EE. UU. en 1-3 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
1951 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.283 |
| 10+ | $0.219 |
| 25+ | $0.134 |
| 50+ | $0.109 |
| 100+ | $0.092 |
| 250+ | $0.074 |
| 500+ | $0.058 |
| 1000+ | $0.055 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.28
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N7002BFE,LM(TCopiar
No. Parte Newark03AM3067
Rango de ProductoU-MOSIV Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N200
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N150
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoU-MOSIV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
U-MOSIV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
200
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.1
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto