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SSM6N56FE,LM(T
MOSFET Dual, Canal N, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N56FE,LM(T
No. Parte Newark01AM0645
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.323 |
| 10+ | $0.248 |
| 25+ | $0.169 |
| 50+ | $0.140 |
| 100+ | $0.117 |
| 250+ | $0.094 |
| 500+ | $0.079 |
| 1000+ | $0.065 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N56FE,LM(T
No. Parte Newark01AM0645
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N800
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.235
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N250
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
800
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.235
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto