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SSM6N44FE,LM(T
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.375 |
| 10+ | $0.287 |
| 25+ | $0.197 |
| 50+ | $0.163 |
| 100+ | $0.136 |
| 250+ | $0.109 |
| 500+ | $0.092 |
| 1000+ | $0.075 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N44FE,LM(T
No. Parte Newark09AK7992
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P100
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.2
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2.2
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N150
Disipación de Potencia de Canal P150
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
100
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2.2
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
100
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.2
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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