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SSM6J505NU,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 12 A, 0.009 ohm, UDFN, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6J505NU,LF(TCopiar
No. Parte Newark09AK7987
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.474 |
| 10+ | $0.386 |
| 25+ | $0.342 |
| 50+ | $0.304 |
| 100+ | $0.261 |
| 250+ | $0.229 |
| 500+ | $0.181 |
| 1000+ | $0.174 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6J505NU,LF(TCopiar
No. Parte Newark09AK7987
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorUDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1.25
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Diseño de Transistor
UDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1.25
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto