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SSM3K37MFV,L3F(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 250 mA, 1.65 ohm, SOT-723, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K37MFV,L3F(T
No. Parte Newark09AK7981
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.270 |
| 10+ | $0.212 |
| 25+ | $0.133 |
| 50+ | $0.110 |
| 100+ | $0.095 |
| 250+ | $0.078 |
| 500+ | $0.064 |
| 1000+ | $0.061 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K37MFV,L3F(T
No. Parte Newark09AK7981
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.65
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-723
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.65
Diseño de Transistor
SOT-723
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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