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SSM3K36FS,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K36FS,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark08AK7433
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.346 |
| 50+ | $0.266 |
| 100+ | $0.221 |
| 250+ | $0.185 |
| 500+ | $0.156 |
| 1000+ | $0.133 |
| 2500+ | $0.108 |
| 5000+ | $0.092 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K36FS,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark08AK7433
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id500
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.46
Diseño de TransistorSOT-416
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-416
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.46
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto