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SSM3K35CTC,L3F(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K35CTC,L3F(T
No. Parte Newark01AM0621
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Hoja de datos técnicos
9,120 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.256 |
| 10+ | $0.198 |
| 25+ | $0.121 |
| 50+ | $0.098 |
| 100+ | $0.083 |
| 250+ | $0.067 |
| 500+ | $0.052 |
| 1000+ | $0.049 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K35CTC,L3F(T
No. Parte Newark01AM0621
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.1
Diseño de TransistorCST-C
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
250
Diseño de Transistor
CST-C
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.1
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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