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SSM3K345R,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 4 A, 33 mohm, SOT-23F, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K345R,LF(TCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)03AM3038
Cinta adhesiva03AM3038
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.363 | $0.36 |
| Total Precio | $0.36 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.363 |
| 10+ | $0.278 |
| 25+ | $0.232 |
| 50+ | $0.194 |
| 100+ | $0.163 |
| 250+ | $0.139 |
| 500+ | $0.113 |
| 1000+ | $0.096 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K345R,LF(TCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)03AM3038
Cinta adhesiva03AM3038
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Diseño de TransistorSOT-23F
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4
Diseño de Transistor
SOT-23F
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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