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SSM3K2615R,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K2615R,LF(TCopiar
No. Parte Newark03AM3034
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.563 |
| 10+ | $0.433 |
| 25+ | $0.361 |
| 50+ | $0.302 |
| 100+ | $0.253 |
| 250+ | $0.216 |
| 500+ | $0.176 |
| 1000+ | $0.149 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K2615R,LF(TCopiar
No. Parte Newark03AM3034
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3
Diseño de TransistorSOT-23F
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2
Diseño de Transistor
SOT-23F
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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