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SSM3K15F,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K15F,LF(T
No. Parte Newark01AM0615
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.246 |
| 10+ | $0.191 |
| 25+ | $0.116 |
| 50+ | $0.095 |
| 100+ | $0.080 |
| 250+ | $0.064 |
| 500+ | $0.050 |
| 1000+ | $0.048 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K15F,LF(T
No. Parte Newark01AM0615
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4
Diseño de TransistorSOT-346
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Diseño de Transistor
SOT-346
Voltaje de Prueba Rds(on)
4
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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