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SSM3K15AMFV,L3F(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K15AMFV,L3F(T
No. Parte Newark09AK7971
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.182 |
| 10+ | $0.141 |
| 25+ | $0.086 |
| 50+ | $0.070 |
| 100+ | $0.059 |
| 250+ | $0.047 |
| 500+ | $0.037 |
| 1000+ | $0.035 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K15AMFV,L3F(T
No. Parte Newark09AK7971
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.6ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-723
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.6ohm
Diseño de Transistor
SOT-723
Voltaje de Prueba Rds(on)
4
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SSM3K15AMFV,L3F(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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