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HN4B102J(TE85L,F)
Arreglo de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
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| 1+ | $1.010 | $0.161 |
| 10+ | $0.632 | $0.161 |
| 25+ | $0.559 | $0.161 |
| 50+ | $0.485 | $0.161 |
| 100+ | $0.412 | $0.161 |
| 250+ | $0.365 | $0.161 |
| 500+ | $0.317 | $0.161 |
| 1000+ | $0.286 | $0.161 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteHN4B102J(TE85L,F)
No. Parte Newark54AK6628
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN, PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor30
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor30
Corriente NPN de Colector Continua2
Corriente PNP de Colector Continua2
Disipación de Potencia NPN1.1
Disipación de Potencia PNP1.1
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD40
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD40
Diseño de TransistorSOT-25
No. de Pines5Pines
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150
Frecuencia de Transición NPN-
Frecuencia de Transición PNP-
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN, PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
30
Corriente PNP de Colector Continua
2
Disipación de Potencia PNP
1.1
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
40
No. de Pines
5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
30
Corriente NPN de Colector Continua
2
Disipación de Potencia NPN
1.1
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
40
Diseño de Transistor
SOT-25
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición NPN
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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