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2SC5200N(S1,E,S)
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $2.910 |
| 100+ | $1.990 |
| 500+ | $1.700 |
| 1000+ | $1.610 |
| 2500+ | $1.570 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SC5200N(S1,E,S)
No. Parte Newark08AK8210
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor230
Corriente del Colector Continua15
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia150
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-3P
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición30
Ganancia de Corriente DC hFE0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.35
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
230
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
30
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
35
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
15
Disipación de Potencia
150
Diseño de Transistor
TO-3P
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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