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2SC2712-O(TE85L,F)
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SC2712-O(TE85L,F)
No. Parte Newark08AK8207
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.185 |
| 10+ | $0.116 |
| 25+ | $0.101 |
| 50+ | $0.087 |
| 100+ | $0.071 |
| 250+ | $0.062 |
| 500+ | $0.052 |
| 1000+ | $0.045 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SC2712-O(TE85L,F)
No. Parte Newark08AK8207
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua150
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorSOT-346
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición80
Ganancia de Corriente DC hFE0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Corriente del Colector Continua
150
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
80
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
200
Diseño de Transistor
SOT-346
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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