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2SA1162-GR,LF(T
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
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| 10+ | $0.133 |
| 25+ | $0.091 |
| 50+ | $0.069 |
| 100+ | $0.054 |
| 250+ | $0.043 |
| 500+ | $0.036 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SA1162-GR,LF(T
No. Parte Newark97AK8155
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua150
Disipación de Potencia200
Diseño de TransistorSOT-346
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición80
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.200
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Corriente del Colector Continua
150
Diseño de Transistor
SOT-346
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
200
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Disipación de Potencia
200
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
80
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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