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TSM220NB06CR RLG
MOSFET, N-CH, 60V, 35A, PDFN56 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSM220NB06CR RLG
No. Parte Newark59AJ2301
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.670 |
| 10+ | $0.575 |
| 25+ | $0.523 |
| 50+ | $0.471 |
| 100+ | $0.419 |
| 250+ | $0.400 |
| 500+ | $0.380 |
| 1000+ | $0.343 |
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSM220NB06CR RLG
No. Parte Newark59AJ2301
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPDFN56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.3V
Disipación de Potencia68W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019ohm
Diseño de Transistor
PDFN56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
68W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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