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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSM110NB04LCR RLGCopiar
No. Parte Newark59AJ2300
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.937 |
| 10+ | $0.604 |
| 25+ | $0.550 |
| 50+ | $0.496 |
| 100+ | $0.443 |
| 250+ | $0.414 |
| 500+ | $0.385 |
| 1000+ | $0.352 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSM110NB04LCR RLGCopiar
No. Parte Newark59AJ2300
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id54A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPDFN56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Disipación de Potencia68W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8000µohm
Diseño de Transistor
PDFN56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
68W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
54A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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