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VNN1NV04PTR-E
MOSFET de Potencia, Canal N, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNN1NV04PTR-ECopiar
No. Parte Newark07X1990
Rango de ProductoOMNIFET II Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.572 |
| 2000+ | $0.562 |
| 4000+ | $0.553 |
| 6000+ | $0.544 |
| 10000+ | $0.533 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNN1NV04PTR-ECopiar
No. Parte Newark07X1990
Rango de ProductoOMNIFET II Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds45
Intensidad Drenador Continua Id1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia7
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.-
Rango de ProductoOMNIFET II Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
45
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
7
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
OMNIFET II Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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US ECCN:EAR99
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