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VNN1NV04PTR-E
MOSFET de Potencia, Canal N, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNN1NV04PTR-ECopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)06X1145
Cinta adhesiva06X1145
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.160 | $1.16 |
| Total Precio | $1.16 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.160 |
| 10+ | $0.838 |
| 25+ | $0.758 |
| 50+ | $0.714 |
| 100+ | $0.670 |
| 250+ | $0.627 |
| 500+ | $0.602 |
| 1000+ | $0.580 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNN1NV04PTR-ECopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)06X1145
Cinta adhesiva06X1145
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds45
Intensidad Drenador Continua Id1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia7
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.-
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The VNN1NV04PTR-E is a 45V Fully Auto Protected Power MOSFET designed in VIPower M0 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
45
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
7
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto