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TIP112
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 1000 RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteTIP112
No. Parte Newark95M9095
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.280 |
| 10+ | $0.645 |
| 100+ | $0.580 |
| 500+ | $0.474 |
| 1000+ | $0.437 |
| 2500+ | $0.408 |
| 10000+ | $0.357 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteTIP112
No. Parte Newark95M9095
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Disipación de Potencia Pd50W
Corriente del Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC2A
Encapsulado de Transistor RFTO-220
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE500hFE
Diseño de Transistor0
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
500hFE
Montaje de Transistor
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Disipación de Potencia Pd
50W
Frecuencia de Transición
0
Corriente de Colector DC
2A
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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