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STY100NM60N
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 98 A, 0.028 ohm, MAX-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTY100NM60NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark45AC7797
Rango de ProductoMDmesh II
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTY100NM60NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark45AC7797
Rango de ProductoMDmesh II
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id98
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028
Diseño de TransistorMAX-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd625W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia625
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh II
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Diseño de Transistor
MAX-247
Disipación de Potencia Pd
625W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh II
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
98
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
625
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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