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STW9N150
MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 1.5 kV, 1.8 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW9N150
No. Parte Newark94T3553
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.530 |
| 10+ | $9.910 |
| 25+ | $8.290 |
| 60+ | $6.780 |
| 120+ | $6.580 |
| 270+ | $6.390 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW9N150
No. Parte Newark94T3553
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.5kV
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.8ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia320W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.5kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.8ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
320W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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