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STW88N65M5
Power MOSFET, N Channel, 84 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $17.630 |
| 25+ | $15.570 |
| 60+ | $13.510 |
| 120+ | $12.830 |
| 270+ | $12.440 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW88N65M5
No. Parte Newark06X0916
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id84A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia450W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
84A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
450W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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