Imprimir página
STW75NF20
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW75NF20
No. Parte Newark33R1334
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.710 |
| 10+ | $3.140 |
| 25+ | $2.990 |
| 60+ | $2.890 |
| 120+ | $2.770 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.71
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW75NF20
No. Parte Newark33R1334
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id37
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd190W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia190
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STW75NF20 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II realizado con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics. Ha sido diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. Es adecuado como interruptor primario en convertidores CD a CD aislados de alta eficiencia avanzados.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- Baja carga de compuerta
- 100% prueba de avalancha
- Temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
37
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
190W
Disipación de Potencia
190
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto